基于SQUID阵列的超导磁通激励开关及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011181251.6
IPC分类号：H01L39/16;H01L39/22;H01L39/24;H01L27/02
申请日期：
2020-10-29
申请人：
中国计量科学研究院

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著录项信息

专利名称	基于SQUID阵列的超导磁通激励开关及其制备方法
申请号	CN202011181251.6	申请日期	2020-10-29
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-01-29	公开/公告号	CN112289920A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L39/16 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L39/00 应用超导电性的或高导电性的器件，专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；按陶瓷形成的工艺或陶瓷组合物性质区分的超导体入C04B 35/00；超导或高导体、电缆或传输线入H01B 12/00；超导线圈或绕组入H01F；利用超导电性的放大器入H03F 19/00）〔2，4〕 H01L39/16 在超导电和正常导电状态之间可切换的器件〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;9;/;1;6;;;H;0;1;L;3;9;/;2;2;;;H;0;1;L;3;9;/;2;4;;;H;0;1;L;2;7;/;0;2查看分类表>
申请人	中国计量科学研究院	申请人地址	北京市朝阳区北三环东路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国计量科学研究院	当前权利人	中国计量科学研究院
发明人	王仕建;徐达;王雪深;李劲劲
代理机构	北京华进京联知识产权代理有限公司	代理人	方晓燕

摘要

本申请涉及一种基于SQUID阵列的超导磁通激励开关及其制备方法。每个第一约瑟夫森结结构的第一超导薄膜结构设置于环路结构的第一端。每个第二约瑟夫森结结构的第一超导薄膜结构设置于环路结构的第二端。环路结构为具有第一端和第二端的不封闭环路。通过环路结构将第一约瑟夫森结结构的第一超导薄膜结构与第二约瑟夫森结结构的第一超导薄膜结构连接，使得SQUID环路中形成串联电感结构。从而，当获得一个磁通的时候，SQUID环路的变化为磁通量子Ф0的整数倍，不会对V‑Ф0曲线(周期是Ф0)有任何改变，进而能有效避免SQUID环路的相位偏移，解决了并联型电感结构导致的相位偏移问题。

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