在一个太阳能吸收组件上制备一层高选择性吸收薄膜的方法和设备以及具有这种薄膜的太阳能吸收器

发明专利无效专利

申请号：
CN201180025172.9
IPC分类号：F24J2/48;C25D11/22;C25D7/00
申请日期：
2011-03-22
申请人：
ODB科技有限两合公司

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引证文献

著录项信息

专利名称	在一个太阳能吸收组件上制备一层高选择性吸收薄膜的方法和设备以及具有这种薄膜的太阳能吸收器
申请号	CN201180025172.9	申请日期	2011-03-22
法律状态	放弃专利权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-02-13	公开/公告号	CN102933920A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	F24J2/48 ? IPC结构图谱： F 机械工程；照明；加热；武器；爆破 F2 照明；加热 F24 供热；炉灶；通风 F24J （删除） F24J2/48 （转入F24S 70/10-F24S 70/275）	IPC分类号	F;2;4;J;2;/;4;8;;;C;2;5;D;1;1;/;2;2;;;C;2;5;D;7;/;0;0查看分类表>
申请人	ODB科技有限两合公司	申请人地址	德国诺伊斯布萨尔德路12号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	ODB科技有限两合公司	当前权利人	ODB科技有限两合公司
发明人	迪特尔·奥斯特曼
代理机构	南京天华专利代理有限责任公司	代理人	徐冬涛

摘要

本发明涉及一种在一个太阳能吸收组件上制备一层选择性吸收薄膜的方法，该方法包括如下几个步骤：-提供一个具有金属表面的衬底（1），-确定所述金属表面的内表面，-确定生成所述吸收组件所需的单位面积内的电荷量与所述内表面的相互关系，-按照如下两个步骤利用电解法生成所述吸收薄膜（3），步骤1：通过直流阳极氧化工艺在所述衬底（1）的所述金属表面上形成一层多孔氧化薄膜；步骤2：对所述氧化薄膜的所述孔隙进行交流着色处理，其中所述直流阳极氧化和所述交流着色的过程中必须达到每个步骤中所需的由所述内表面确定的单位面积内的电荷量，其中，用于所述直流阳极氧化的单位面积内的电荷量ρA和用于所述交流着色的单位面积内的电荷量ρP之间的比例关系ρA/ρP=0.65至0.8。此外，本发明还涉及一种根据本发明方法制备的太阳能吸收组件（10）。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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