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半导体装置及半导体装置的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610301499.9
  • IPC分类号:H01L23/49;H01L21/48
  • 申请日期:
    2016-05-09
  • 申请人:
    富士电机株式会社
著录项信息
专利名称半导体装置及半导体装置的制造方法
申请号CN201610301499.9申请日期2016-05-09
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-12-28公开/公告号CN106257660A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/49IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;4;9;;;H;0;1;L;2;1;/;4;8查看分类表>
申请人富士电机株式会社申请人地址
日本神奈川县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人富士电机株式会社当前权利人富士电机株式会社
发明人坂本阳
代理机构上海专利商标事务所有限公司代理人俞丹
摘要
本发明能够抑制连接端子受损。通过半导体模块制造工序制造的半导体装置(半导体模块(20))具备树脂壳体(21),该树脂壳体(21)包括在主面上垂直于收纳半导体元件的收纳区域的周边部而设置的导向销(24)、以及在主面上垂直于该周边部而设置的连接端子(25)。而且,安装具备用于插入导向销(24)的定位孔(49)和用于插入连接端子(25)的保护孔(48)的夹具(40)。由此,连接端子(25)被夹具(40)保护,该夹具(40)通过导向销(24)在一个端部与另一个端部与树脂壳体(21)位置对齐并且被固定。

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