半导体制造装置用耐腐蚀性构件及其制法

发明专利有效专利

申请号：
CN201180015911.6
IPC分类号：C04B35/50;H01L21/205;H01L21/3065;H01L21/683
申请日期：
2011-03-18
申请人：
日本碍子株式会社

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专利名称	半导体制造装置用耐腐蚀性构件及其制法
申请号	CN201180015911.6	申请日期	2011-03-18
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-12-12	公开/公告号	CN102822116A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C04B35/50 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C04 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕 C04B 石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷（微晶玻璃陶瓷入C03C 10/00）；耐火材料（难熔金属的合金入C22C）；天然石的处理〔4〕 C04B35/00 以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物（含有不用作宏观增强剂的，粘接在碳化物、金刚石、氧化物、硼化物、氮化物、硅化物上的游离金属，例如陶瓷或其他金属化合物，例如氧氮化合物或硫化物的入C22C）；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末〔4〕 C04B35/50 以稀土化合物为基料的	IPC分类号	C;0;4;B;3;5;/;5;0;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;5;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;6;5;;;H;0;1;L;2;1;/;6;8;3查看分类表>
申请人	日本碍子株式会社	申请人地址	日本爱知县名古屋市瑞穗区须田町2番56号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日本碍子株式会社	当前权利人	日本碍子株式会社
发明人	渡边守道;胜田祐司;早濑徹
代理机构	上海市华诚律师事务所	代理人	徐申民;李晓

摘要

秤量Yb2O3与SrCO3为摩尔比1:1，调制调合粉末。将该调合粉末单轴加压成形，制作为圆盘状成形体。将成形体在大气气氛中进行热处理，合成复合氧化物。将合成的复合氧化物用研钵粗粉碎，进行湿式粉碎。将粉碎后取出的浆料在氮气流中干燥，制为合成原料粉末。将该合成原料粉末单轴加压成形，制作为圆盘状成形体。将得到的成形体用热压法烧成，得到半导体制造装置用耐腐蚀性构件。该耐腐蚀性构件，由SrYb2O4晶相构成，开孔率为0.1%，NF3腐蚀速率值小于由Y2O3的晶相构成的。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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