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与CMOS工艺兼容的硅纳米线器件的制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110257393.0
IPC分类号：H01L21/02;H01L21/336
申请日期：
2011-09-01
申请人：
上海华力微电子有限公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	与CMOS工艺兼容的硅纳米线器件的制作方法
申请号	CN201110257393.0	申请日期	2011-09-01
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-03-13	公开/公告号	CN102969222A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人	上海华力微电子有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华力微电子有限公司	当前权利人	上海华力微电子有限公司
发明人	曹永峰
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	陆花

摘要

本发明涉及一种与CMOS工艺兼容的硅纳米线器件的制作方法，该种制作方法在现有技术的制作工艺中，在硅纳米线上沉积覆盖了一层无定形碳层，利用无定形碳层的灰化特性和回流特性，对硅纳米线器件干法释放时进行灰化工艺，干法释放后的硅纳米线器件的硅纳米线没有侧墙，本发明的硅纳米线器件与现有硅纳米线器件制作方法得到的硅纳米线器件相比，接触面积大，受影响率大。

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