超导装置和制造超导装置的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201680051203.0
IPC分类号：G01R33/035
申请日期：
2016-08-26
申请人：
皇家霍洛威和贝德福德新学院

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著录项信息

专利名称	超导装置和制造超导装置的方法
申请号	CN201680051203.0	申请日期	2016-08-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-06-08	公开/公告号	CN108139451A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R33/035 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R33/00 测量磁变量的装置或仪器 G01R33/02 测量磁场或磁通量的方向或大小（G01R 33/20优先）〔4〕 G01R33/035 采用超导器件〔3〕	IPC分类号	G;0;1;R;3;3;/;0;3;5查看分类表>
申请人	皇家霍洛威和贝德福德新学院	申请人地址	英国萨里郡变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	皇家霍洛威和贝德福德新学院	当前权利人	皇家霍洛威和贝德福德新学院
发明人	维克托·梯克欧维科·佩特拉受维;克里斯多夫·切克雷
代理机构	北京派特恩知识产权代理有限公司	代理人	江海;姚开丽

摘要

一种量子干涉装置，包括被正常导体段中断的超导环路和连接到正常导体段的干涉仪，其中，超导环路包括多个匝。所述匝可以是多个相邻的瓣。线圈可以位于超导环路的瓣内。可选地，桥接层(例如由金制成的桥接层)形成在衬底上方，以在桥接层上方形成的超导层(例如由铌制成的超导层)和桥接层上方形成的正常导电层(例如由钛制成的正常导电层)之间形成电接触。桥接层使得该装置由原本不相容的超导材料和普通导电材料形成。可以使得钛正常导电层能够在数年的时间内氧化。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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