加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种沟槽MOS结构肖特基二极管及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110287378.0
  • IPC分类号:H01L29/872;H01L21/329
  • 申请日期:
    2011-09-26
  • 申请人:
    朱江;盛况
著录项信息
专利名称一种沟槽MOS结构肖特基二极管及其制备方法
申请号CN201110287378.0申请日期2011-09-26
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-04-03公开/公告号CN103022155A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/872
?
IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;8;7;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;9查看分类表>
申请人朱江;盛况申请人地址
浙江省杭州市西湖区浙大路38号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人盛况当前权利人盛况
发明人朱江;盛况
代理机构杭州求是专利事务所有限公司代理人林超
摘要
本发明公开了一种沟槽MOS结构肖特基二极管,通过MOS结构改变漂移区的电场强度分布,使得峰值电场出现在沟槽底部附近的半导体材料中,而不是出现在肖特基势垒结附近;本发明还提供一种制备方法,可以实现两次光刻工艺实现器件的生产制造。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供