底层组合物和成像底层组合物的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510125436.8
IPC分类号：G03F7/00;G03F7/11;G03F7/16;G03F7/26;C08F297/02;B81C1/00
申请日期：
2011-09-30
申请人：
罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司

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著录项信息

专利名称	底层组合物和成像底层组合物的方法
申请号	CN201510125436.8	申请日期	2011-09-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-07-15	公开/公告号	CN104777712A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G03F7/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术〔4〕 G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备（照相排版装置入B41B；为摄影用的感光材料或处理入G03C；电记录、感光层或处理入G03G） G03F7/00 图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备（用于特殊工艺的光致抗蚀剂结构见相关的位置，例如，B44C，H01L，例如，H01L 21/00，H05K）〔3，5〕	IPC分类号	G;0;3;F;7;/;0;0;;;G;0;3;F;7;/;1;1;;;G;0;3;F;7;/;1;6;;;G;0;3;F;7;/;2;6;;;C;0;8;F;2;9;7;/;0;2;;;B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人	罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司	申请人地址	美国马萨诸塞州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	罗门哈斯电子材料有限公司,陶氏环球技术有限公司	当前权利人	罗门哈斯电子材料有限公司,陶氏环球技术有限公司
发明人	P·特雷福纳斯;P·D·胡斯塔德;C·皮埃尔
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	樊云飞

摘要

一种形成图案的方法，包括通过照射光敏层的一部分，使在包括光酸产生剂的光敏层中产生的酸扩散进入底层的邻近部分中，该底层包括含有酸可分解基团、连接基团和官能团的酸敏共聚物，其中该光敏层配置在底层的表面上，扩散包括加热该底层和光敏层，底层中的酸敏共聚物的酸敏基团与所扩散的酸反应，以在底层的表面上形成极性区域，该极性区域具有图案的形状；去除光敏层；在该底层的表面上形成自组装层，该自组装层包括嵌段共聚物，该嵌段聚合物包括第一嵌段和第二嵌段，其中该第一嵌段形成对齐该极性区域的第一微区，并且该第二嵌段形成了邻近该第一微区对齐的第二微区，并移除该第一或第二微区以暴露出该底层的下层部分。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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