变温的高阻半导体材料光电测试装置

实用新型专利无效专利

申请号：
CN00258011.X
IPC分类号：--
申请日期：
2000-10-24
申请人：
中国科学院半导体研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	变温的高阻半导体材料光电测试装置
申请号	CN00258011.X	申请日期	2000-10-24
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市912信箱变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	张砚华;卢励吾;樊志军
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	汤保平

摘要

一种变温的高阻半导体材料光电测试装置,其中包括:一真空腔,该真空腔为圆柱体,该真空腔内为真空室;一真空室上罩,该真空室上罩罩扣于真空腔的上面;一真空室底盘,该真空室底盘用螺丝固定在真空腔的下面,该真空室底盘的中间有一通孔;一冷井,该冷井为圆桶体,其上下端均封闭,在其下端开有两通孔;一样品座,该样品座固定在冷井的上端。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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