P型铜铁矿结构透明导电氧化物薄膜的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200710192050.4
IPC分类号：C23C24/10
申请日期：
2007-12-27
申请人：
中国科学院安徽光学精密机械研究所

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专利名称	P型铜铁矿结构透明导电氧化物薄膜的制备方法
申请号	CN200710192050.4	申请日期	2007-12-27
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-07-09	公开/公告号	CN101215702
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C24/10 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C24/00 自无机粉末起始的镀覆（熔融态覆层材料的喷镀入C23C4/00；固渗入C23C8/00-C23C12/00 〔4，2006.01〕 C23C24/08 加热法或加压加热法的（C23C 24/04优先）〔4〕 C23C24/10 覆层中临时形成液相的〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;2;4;/;1;0查看分类表>
申请人	中国科学院安徽光学精密机械研究所	申请人地址	安徽省合肥市蜀山湖路350号1125信箱变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院安徽光学精密机械研究所	当前权利人	中国科学院安徽光学精密机械研究所
发明人	李达;方晓东;邓赞红;陶汝华;董伟伟
代理机构	安徽合肥华信知识产权代理有限公司	代理人	余成俊

摘要

本发明公开了一种p型铜铁矿结构透明导电氧化物薄膜的制备方法，是先按铜、铬和M的摩尔比为1∶(0.75～1)∶(0～0.25)，称量氧化亚铜、氧化铬及金属M的氧化物，将原料混合后球磨；再将球磨之后的粉末压坯，制备成复合靶材，靶材为常温制备未经高温烧结，氧化亚铜和氧化铬及M的氧化物未发生化学反应；用得到的靶材通过脉冲激光沉积法在基板上沉积CuCr1-xMxO2薄膜，0≤x≤0.25。制得的铜铁矿结构多晶CuCr1-xMxO2(0≤x≤0.25)薄膜具有较高的电导率和可见光透过率，实验结果具备可重复。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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