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电容器结构及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010280440.2
IPC分类号：H01L49/02;H01L21/02;H01L27/108
申请日期：
2020-04-10
申请人：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	电容器结构及其制造方法
申请号	CN202010280440.2	申请日期	2020-04-10
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-10-19	公开/公告号	CN113517399A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L49/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L49/00 不包含在H01L 27/00至H01L 47/00和H01L 51/00各组内的并且未包含在任何其他小类的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L49/02 薄膜或厚膜器件〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;9;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;7;/;1;0;8查看分类表>
申请人	中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司	申请人地址	北京市朝阳区北土城西路3号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院微电子研究所,真芯（北京）半导体有限责任公司	当前权利人	中国科学院微电子研究所,真芯（北京）半导体有限责任公司
发明人	金一球;李俊杰;周娜;杨涛;李俊峰;王文武
代理机构	北京辰权知识产权代理有限公司	代理人	佟林松

摘要

本申请涉及一种电容器及其制备方法。与现有制造方法得到的电容器相比，本申请通过将常规工艺中采用湿法刻蚀去除牺牲模层替换为干法剥离工艺，并随后进行湿法清洗工艺，通过全制程的干法工艺，从而能够有效解决因为湿法工艺所产生的表面张力等而导致的底电极的倾斜甚至是塌陷的问题。

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