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一种硅晶片细抛光组合物及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201410811996.4
IPC分类号：C09G1/02
申请日期：
2014-12-22
申请人：
深圳市力合材料有限公司;清华大学;深圳清华大学研究院

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种硅晶片细抛光组合物及其制备方法
申请号	CN201410811996.4	申请日期	2014-12-22
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2015-04-29	公开/公告号	CN104559797A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C09G1/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C09 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用 C09G 虫胶清漆除外的抛光组合物；滑雪屐蜡 C09G1/00 抛光组合物（虫胶清漆入C09F 11/00；洗涤剂入C11D） C09G1/02 含有磨料或研磨剂	IPC分类号	C;0;9;G;1;/;0;2查看分类表>
申请人	深圳市力合材料有限公司;清华大学;深圳清华大学研究院	申请人地址	广东省深圳市南山区松白路西丽南岗第二工业园九栋一楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳市力合材料有限公司,清华大学,深圳清华大学研究院	当前权利人	深圳市力合材料有限公司,清华大学,深圳清华大学研究院
发明人	潘国顺;顾忠华;龚桦;邹春莉;罗桂海;王鑫;陈高攀
代理机构	深圳市鼎言知识产权代理有限公司	代理人	哈达

摘要

本发明涉及一种硅晶片细抛光组合物及其制备方法，属于化学机械抛光(CMP)技术领域。本发明组合物包括酸性二氧化硅溶胶、二醇化合物、硫脲类化合物、碱性化合物、盐、表面活性剂和去离子水。本发明不仅能消除粗抛后表面缺陷的同时，降低粗抛过程中产生的应力，提高表面精度；同时抛光速率接近于硅晶片粗抛光液的抛光速率。

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