有机薄膜形成装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201180058990.9
IPC分类号：C23C14/00;C23C14/12
申请日期：
2011-12-02
申请人：
株式会社爱发科

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著录项信息

专利名称	有机薄膜形成装置
申请号	CN201180058990.9	申请日期	2011-12-02
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-08-14	公开/公告号	CN103249858A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;0;0;;;C;2;3;C;1;4;/;1;2查看分类表>
申请人	株式会社爱发科	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社爱发科	当前权利人	株式会社爱发科
发明人	大森大辅;内田一也;宫内淳
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	蔡晓菡;孟慧岚

摘要

提供能容易地除去着膜于防着板的表面的有机薄膜的有机薄膜形成装置。有机薄膜形成装置，其具有真空槽、配置于真空槽内的基板台、从在真空槽内露出的供给孔向真空槽内供给有机物气体的气体供给部、和安装于真空槽的内壁面的防着板，在配置于基板台的表面的基板上由有机物气体形成有机薄膜，在防着板的露出的表面上，形成有相对于膜整体的体积，以20%～40%的体积比含有聚四氟乙烯的含有氟树脂的非电解镍膜。含有氟树脂的非电解镍膜对有机薄膜具有脱模性，即使附着有机薄膜，也可以通过高压洗涤等方法容易地除去有机薄膜。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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