集成芯片

发明专利有效专利

申请号：
CN202110251396.7
IPC分类号：H01L23/538;H01L29/06;H01L29/423;H01L27/088
申请日期：
2021-03-08
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

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著录项信息

专利名称	集成芯片
申请号	CN202110251396.7	申请日期	2021-03-08
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-03	公开/公告号	CN113206063A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/538 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/538 制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;3;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;7;/;0;8;8查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	游力蓁;黄麟淯;庄正吉;林佑明;王志豪
代理机构	隆天知识产权代理有限公司	代理人	黄艳

摘要

在一些实施例中，本公开涉及一种集成芯片。前述集成芯片包括：基板及位于基板的上层的栅极电极。再者，前述集成芯片包括位于基板的上层且借由间隔物结构与栅极电极横向地间隔开的接触层。间隔物结构可围绕栅极电极的最外侧侧壁。硬遮罩结构可布置在栅极电极之上，且介于间隔物结构的多个部分之间。接触导孔延伸穿过硬遮罩结构，且接触栅极电极。前述集成芯片可进一步包括直接布置在介于硬遮罩结构及间隔物结构之间的衬层，其中衬层与栅极电极间隔开。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

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