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掺加助剂热压烧结块体钛碳化硅陶瓷材料的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN03125220.6
  • IPC分类号:C04B35/575;C04B35/577;C04B35/645
  • 申请日期:
    2003-08-01
  • 申请人:
    万青
著录项信息
专利名称掺加助剂热压烧结块体钛碳化硅陶瓷材料的方法
申请号CN03125220.6申请日期2003-08-01
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2005-02-16公开/公告号CN1579993
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/575IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;5;7;5;;;C;0;4;B;3;5;/;5;7;7;;;C;0;4;B;3;5;/;6;4;5查看分类表>
申请人万青申请人地址
湖北省武汉市湖北大学教育学院于英(转) 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人万青当前权利人万青
发明人万青
代理机构武汉楚天专利事务所代理人石坚
摘要
本发明公开了一种掺加助剂热压烧结块体钛碳化硅陶瓷材料的方法。它涉及块体钛碳化硅陶瓷材料的制备,提供了一种掺加助剂CaF2热压烧结层状钛碳化硅块体材料的方法。本发明的方法是一种原位热压烧结法,其方法的步骤及次序如下:A.摩尔比Ti∶Si∶C=3∶1∶(1.95~2.05)混合,再加总量2~8Wt%的CaF2;B.将A料24~30h的混合;C.将混合均匀的粉料装入石墨模具中,在惰性气氛保护下热压烧结1~8h,温度1200~1500℃,压力20~80MPa;D.在惰性气氛保护下自然冷却。本发明的创新之处在于利用助剂CaF2的加入,降低烧结温度,加快固相反应,提高产物的纯度和致密度。本发明简单可靠、成本低、产率高,适合大规模工业生产。

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