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用于制造半导体封装元件的半导体结构

发明专利有效专利

申请号：
CN201710475466.0
IPC分类号：H01L23/498;H01L21/48;H01L21/56;H01L21/683;H01L23/488;H01L23/31
申请日期：
2012-07-23
申请人：
先进封装技术私人有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	用于制造半导体封装元件的半导体结构
申请号	CN201710475466.0	申请日期	2012-07-23
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-11-21	公开/公告号	CN107369668A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/498 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/488 由焊接或黏结结构组成〔5，8〕 H01L23/498 引线位于绝缘衬底上的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;4;9;8;;;H;0;1;L;2;1;/;4;8;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6;;;H;0;1;L;2;1;/;6;8;3;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;8;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1查看分类表>
申请人	先进封装技术私人有限公司	申请人地址	新加坡新加坡变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	先进封装技术私人有限公司	当前权利人	先进封装技术私人有限公司
发明人	周辉星;林建福;欧菲索;林少雄
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	王珊珊

摘要

本发明公开一种用于制造半导体封装元件的半导体结构。半导体结构包括载板以及绝缘层。载板具有相对的第一表面与第二表面，载板包括内层(innerlayer)及外披覆层(exteriorcladlayer)，外披覆层包覆内层。绝缘层形成于载板的第一表面上，其中载板支撑绝缘层。

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