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显示面板、阵列基板、薄膜晶体管及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201811509593.9
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L29/786
  • 申请日期:
    2018-12-11
  • 申请人:
    合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
著录项信息
专利名称显示面板、阵列基板、薄膜晶体管及其制造方法
申请号CN201811509593.9申请日期2018-12-11
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-03-22公开/公告号CN109509707A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;6查看分类表>
申请人合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司申请人地址
安徽省合肥市新站区工业园内 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人合肥鑫晟光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司当前权利人合肥鑫晟光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司
发明人苏同上;王东方;王庆贺;宋嘉文;罗志文;闫梁臣
代理机构北京律智知识产权代理有限公司代理人袁礼君;阚梓瑄
摘要
本公开是关于一种薄膜晶体管的制方法、薄膜晶体管、阵列基板及显示面板。该制造方法包括:在衬底上形成遮光层和覆盖遮光层的缓冲层,以及依次堆叠设置缓冲层上的有源层、栅绝缘材料层和栅极材料层,有源层在衬底上的正投影覆盖部分遮光层在衬底上的正投影;形成由栅极材料层延伸至缓冲层内的凹槽,且凹槽与遮光层未被有源层覆盖的区域相对;对栅极材料层进行图案化,以形成栅极;对栅绝缘材料层进行图案化,以形成栅极绝缘层;去除凹槽底部的缓冲层,使遮光层露出;在缓冲层远离衬底的表面形成源极和漏极;形成覆盖栅极和缓冲层的介电层;在介电层与凹槽对应的位置形成露出遮光层的第一过孔,以及形成露出漏极的第二过孔。

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