晶圆边缘保护结构升降控制装置及半导体机台

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202121481520.0
IPC分类号：H01L21/677;H01L21/67;G01B5/14
申请日期：
2021-06-30
申请人：
上海微电子装备（集团）股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	晶圆边缘保护结构升降控制装置及半导体机台
申请号	CN202121481520.0	申请日期	2021-06-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/677 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/67 专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置〔8〕 H01L21/677 用于传送的，例如在不同的工作站之间〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;7;7;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7;;;G;0;1;B;5;/;1;4查看分类表>
申请人	上海微电子装备（集团）股份有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张东路1525号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海微电子装备（集团）股份有限公司	当前权利人	上海微电子装备（集团）股份有限公司
发明人	王刚;丁宗月;付红艳
代理机构	上海思捷知识产权代理有限公司	代理人	郑星

摘要

本实用新型提供一种晶圆边缘保护结构升降控制装置及半导体机台，所述晶圆边缘保护结构升降控制装置包括升降单元、行程放大单元以及水平移动单元，所述升降单元用以驱动基底边缘保护结构升降，所述行程放大单元用以驱动升降单元升降并以n倍放大倍率驱动水平移动单元移动，且通过水平移动单元对升降单元的行程进行限位及测量。本实用新型利用行程放大单元输出放大n倍的行程，并利用该放大n倍的行程进行限位，以便于对升降单元的行程进行限位，有利于提高限位的精度，防止撞坏基底或装置；还可利用上述放大n倍的行程进行测量，以便于测量及调节基底边缘保护结构与基底之间的距离，实现更精确地距离控制，以提高保护效果。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供