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铋纳米孔阵列薄膜及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510446814.2
  • IPC分类号:C23C14/18;C23C14/30;C25D11/10
  • 申请日期:
    2015-07-24
  • 申请人:
    中国科学院合肥物质科学研究院
著录项信息
专利名称铋纳米孔阵列薄膜及其制备方法
申请号CN201510446814.2申请日期2015-07-24
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-12-23公开/公告号CN105177501A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C14/18IPC分类号C;2;3;C;1;4;/;1;8;;;C;2;3;C;1;4;/;3;0;;;C;2;5;D;1;1;/;1;0查看分类表>
申请人中国科学院合肥物质科学研究院申请人地址
安徽省合肥市蜀山湖路350号2号楼1110信箱 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院合肥物质科学研究院当前权利人中国科学院合肥物质科学研究院
发明人宋豪杰;张俊喜;费广涛;张立德
代理机构合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙)代理人任岗生
摘要
本发明公开了一种铋纳米孔阵列薄膜及其制备方法。薄膜的厚度为25~50nm,其上置有按六方有序排列的孔阵列,组成孔阵列的孔的孔直径为30~100nm、孔中心距为80~150nm、孔壁厚≥10nm。方法为先对铝片依次使用二次阳极氧化法,去背面未氧化的铝、去除障碍层和扩孔,得到通孔氧化铝模板,再将通孔氧化铝模板置于电子束蒸发设备中蒸镀铋膜,得到其上附有铋纳米孔阵列薄膜的通孔氧化铝模板,之后,先将热释放胶带粘附于通孔氧化铝模板的铋纳米孔阵列薄膜上后,使用物理方法分离铋纳米孔阵列薄膜和通孔氧化铝模板,再将附于热释放胶带上的铋纳米孔阵列薄膜置于≥80℃下至少2min,制得目的产物。它可进一步地拓展在红外探测、热电效应以及霍尔器件领域的优化应用。

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