具有多晶粒的半导体组件封装结构及其方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810173135.2
IPC分类号：H01L25/00;H01L23/488;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56;H01L21/78
申请日期：
2008-10-30
申请人：
育霈科技股份有限公司

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著录项信息

专利名称	具有多晶粒的半导体组件封装结构及其方法
申请号	CN200810173135.2	申请日期	2008-10-30
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2010-06-09	公开/公告号	CN101728368A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L25/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L25/00 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件（在一共用基片内或其上形成的由多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；光伏电池的光伏模块或者阵列入H01L 31/042）〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;8;;;H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;1;/;5;0;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6;;;H;0;1;L;2;1;/;7;8查看分类表>
申请人	育霈科技股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	育霈科技股份有限公司	当前权利人	育霈科技股份有限公司
发明人	杨文焜;林殿方
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	周长兴

摘要

一种具有多晶粒的半导体组件封装结构及其方法。本发明的具有多晶粒的半导体组件封装结构包含基板，其具有晶粒接收通孔，导电连接通孔结构，其与基板的上表面上的第一接触垫及基板的下表面上的第二接触垫相耦合。具有第一接合垫的第一晶粒设置于上述晶粒接收通孔内。第一黏着材料形成于上述晶粒之下，而第二黏着材料填充于上述晶粒与基板的晶粒接收通孔的侧壁间的间隔内。接着，第一导线加以形成以耦合第一接合垫及第一接触垫。再者，具有第二接合垫的第二晶粒附着于上述第一晶粒上。第二导线加以形成以耦合第二接合垫及第一接触垫。复数介电层形成于上述第一及第二导线、第一及第二晶粒以及基板上。

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