太阳能薄膜电池激光蚀刻设备及蚀刻方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200810217492.4
IPC分类号：B23K26/38;B23K26/40;B23K26/08;H01L31/18
申请日期：
2008-11-19
申请人：
深圳市大族激光科技股份有限公司

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专利名称	太阳能薄膜电池激光蚀刻设备及蚀刻方法
申请号	CN200810217492.4	申请日期	2008-11-19
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2009-04-29	公开/公告号	CN101417370
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B23K26/38 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B2 成型 B23 机床；其他类目中不包括的金属加工 B23K 钎焊或脱焊；焊接；用钎焊或焊接方法包覆或镀敷；局部加热切割，如火焰切割；用激光束加工（用金属的挤压来制造金属包覆产品入B21C 23/22；用铸造方法制造衬套或包覆层入B22D 19/08；用浸入方式的铸造入B22D 23/04；用烧结金属粉末制造复合层入B22F 7/00；机床上的仿形加工或控制装置入B23Q；不包含在其他类目中的包覆金属或金属包覆材料入C23C；燃烧器入F23D） B23K26/00 用激光束加工，例如焊接，切割或打孔〔2，3，2014.01〕 B23K26/36 除掉材料（B23J26/55，B23K26/57优先）〔7，2014.01〕 B23K26/38 利用镗孔或切削〔7，2014.01〕	IPC分类号	B;2;3;K;2;6;/;3;8;;;B;2;3;K;2;6;/;4;0;;;B;2;3;K;2;6;/;0;8;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	深圳市大族激光科技股份有限公司	申请人地址	广东省深圳市南山区高新科技园松坪山工厂区5号路8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	大族激光科技产业集团股份有限公司	当前权利人	大族激光科技产业集团股份有限公司
发明人	高云峰;陈明金;吴志宏;倪鹏玉;谢建;李世印;郑国云
代理机构	深圳市兴科达知识产权代理有限公司	代理人	杜启刚

摘要

本发明公开了一种太阳能薄膜电池激光蚀刻设备及蚀刻方法。设备包括2套蚀刻系统，相向布置在Y轴基座上，每套蚀刻系统包括X轴运动系统、Y轴运动系统和激光器系统。X轴运动系统和Y轴运动系统，形成十字滑台结构；工件夹具位于Y轴基座中部的上方，工件夹具的周边夹紧装置安装在机架上，工件夹具的中央支承装置安装在由位于Y轴基座中部的支柱上；激光器系统安装在X轴运动系统上，激光器系统的蚀刻头伸向工件夹具的下方。本发明Y轴方向的进给距离小，2套蚀刻系统同时工作，分别沿U字形路径作蚀刻运动，联合蚀刻掉工件周边10毫米带状区域的镀膜层，简化了生产工艺，提高了生产效率，成品率和产品质量。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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