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用于FINFET架构的用固态扩散源掺杂的隔离阱

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201380079126.6
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L29/78
  • 申请日期:
    2013-09-25
  • 申请人:
    英特尔公司
著录项信息
专利名称用于FINFET架构的用固态扩散源掺杂的隔离阱
申请号CN201380079126.6申请日期2013-09-25
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-04-13公开/公告号CN105493253A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人英特尔公司申请人地址
美国加利福尼亚 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人英特尔公司当前权利人英特尔公司
发明人W·M·哈菲兹;C-H·简;J-Y·D·叶;张旭佑;N·迪亚斯;C·穆纳辛哈
代理机构永新专利商标代理有限公司代理人陈松涛;王英
摘要
沿非平面半导体鳍状物结构的一部分形成杂质源膜。所述杂质源膜可以用作杂质来源,所述杂质在从源膜扩散到所述半导体鳍状物中之后变得具有电活性。在一个实施例中,杂质源膜被设置为与设置在鳍状物的有源区与衬底之间的子鳍状物区的一部分的侧壁表面相邻,并且比所述有源区更接近所述衬底。在其它实施例中,所述杂质源膜可以提供掺杂剂的源,所述掺杂剂使所述子鳍状物区相对于所述衬底的区域被互补掺杂,以形成P/N结,所述P/N结是将有源鳍状物区与所述衬底的区域电隔离的隔离结构的至少一部分。

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