近红外双波段等离子体Ge基光电探测器及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110240656.0
IPC分类号：H01L31/101;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/028;H01L31/0352;H01L31/0392;H01L31/18
申请日期：
2021-03-04
申请人：
西安电子科技大学

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著录项信息

专利名称	近红外双波段等离子体Ge基光电探测器及其制备方法
申请号	CN202110240656.0	申请日期	2021-03-04
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-07-09	公开/公告号	CN113097333A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/101 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/08 其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器〔2〕 H01L31/10 特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管〔2〕 H01L31/101 对红外、可见或紫外辐射敏感的器件〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;0;1;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;1;6;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;5;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;9;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	西安电子科技大学	申请人地址	陕西省西安市雁塔区太白南路2号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安电子科技大学	当前权利人	西安电子科技大学
发明人	王利明;魏颖;孙浩;胡辉勇;张一驰;王博;张蓓;邵际芳;苑西西;王斌;舒斌
代理机构	西安嘉思特知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘长春

摘要

本发明公开了一种近红外双波段等离子体Ge基光电探测器及其制备方法，该光电探测器包括本征Si衬底层，位于本征Si衬底层上方的绝缘反射层，位于绝缘反射层上方的本征Ge衬底层，位于本征Ge衬底层表面两侧的金属电极，以及位于金属电极之间的复合纳米结构阵列，其中，每个复合纳米结构阵列单元包括Ge纳米结构和位于Ge纳米结构上方的金属纳米结构。本发明通过在本征Ge衬底层上形成包括Ge纳米结构和金属纳米结构复合纳米结构阵列，实现了Ge材料的本征吸收以及Ge上金属内部电子热吸收的双吸收机制，扩大了吸收范围，提高了探测效率；同时可通过调整结构参数实现红外通信波段的不同双波段响应。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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