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一种具有导电性能的光子晶体光纤及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200510019516.1
  • IPC分类号:G02B6/02;C03B37/027
  • 申请日期:
    2005-09-29
  • 申请人:
    武汉理工大学
著录项信息
专利名称一种具有导电性能的光子晶体光纤及其制备方法
申请号CN200510019516.1申请日期2005-09-29
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2006-04-26公开/公告号CN1763568
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G02B6/02IPC分类号G;0;2;B;6;/;0;2;;;C;0;3;B;3;7;/;0;2;7查看分类表>
申请人武汉理工大学申请人地址
湖北省武汉市洪山区珞狮路122号武汉理工大学科研处 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人武汉理工大学当前权利人武汉理工大学
发明人赵修建;成煜
代理机构湖北武汉永嘉专利代理有限公司代理人王守仁
摘要
本发明一种具有导电性能的光子晶体光纤及其制备方法。该光纤的结构是:由内向外,依次设有光纤芯层(3)、至少排列成三层的毛细管(4)、石英包层(1),在最外层毛细管(4)的外圆周上,按点对称分布有两个导电极(2)。该光纤的制备方法是:设计光子晶体,采用导电材料替代光子晶体光纤预制件中最外层中的基于点对称两个单元的方法形成导电极(2),然后拉丝即可。本发明具有容易制造和传输性能好,在测试光子晶体光纤或工程应用领域需要进行光子晶体光纤接续时,利于对准和降低熔接损耗的优点。

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