等离子体约束装置

发明专利有效专利

申请号：
CN200610116449.X
IPC分类号：H05H1/03
申请日期：
2006-09-22
申请人：
中微半导体设备（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	等离子体约束装置
申请号	CN200610116449.X	申请日期	2006-09-22
法律状态	暂无	申报国家	暂无
公开/公告日	2008-03-26	公开/公告号	CN101150909
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H05H1/03 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H05 其他类目不包含的电技术 H05H 等离子体技术（离子束管入H01J 27/00；磁流体发电机入H02K 44/08；涉及生成等离子体的产生X射线的入H05G 2/00）；加速的带电粒子或中子的产生（从放射源获取中子的入G21，例如：G21B，G21C，G21G）；中性分子或原子射束的产生或加速（原子钟入G04F 5/14；受激发射器件入H01S；通过与由分子、原子或亚原子粒子的能级所确定的基准频率相比较而进行频率调整的入H03L 7/26） H05H1/00 等离子体的产生；等离子体的处理（等离子体技术在热核聚变反应器的应用入G21B 1/00） H05H1/02 用电场或磁场约束等离子体的装置；加热等离子体的装置（电子光学入H01J） H05H1/03 应用静电场的〔3〕	IPC分类号	H;0;5;H;1;/;0;3查看分类表>
申请人	中微半导体设备（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中微半导体设备（上海）有限公司,中微半导体设备（上海）股份有限公司	当前权利人	中微半导体设备（上海）有限公司,中微半导体设备（上海）股份有限公司
发明人	倪图强，陈金元，钱青，付越虹，徐朝阳，周旭升，王晔
代理机构	上海智信专利代理有限公司	代理人	王洁

摘要

一种用于等离子体处理装置的等离子体约束装置，其设置于所述等离子体处理装置的处理区域和排气区域之间。所述等离子约束装置具有导电元件，所述导电元件形成有若干个通道，以便控制用过的反应气体及副产品气体的排出并且当其中的带电粒子通过时将它们电中和，从而将等离子体放电基本约束在处理区域以内。所述等离子体约束装置还包括电气接地元件，设置于所述导电元件下方并与所述导电元件相互电绝缘。本发明的等离子体约束装置能够有效减少等离子体处理装置处理区域外的不希望的等离子体的形成，从而解决等离子体处理装置腔体污染问题。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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