用于太阳能电池的铜掺杂硫化铅量子点敏化剂及制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201210520529.7
IPC分类号：H01G9/042;H01G9/20
申请日期：
2012-11-29
申请人：
北京信息科技大学

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专利名称	用于太阳能电池的铜掺杂硫化铅量子点敏化剂及制备方法
申请号	CN201210520529.7	申请日期	2012-11-29
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2014-06-11	公开/公告号	CN103854864A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01G9/042 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01G 电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件（电介质专用材料的选择入H01B 3/00；电位跃迁或表面阻挡层的电容器入H01L 29/00） H01G9/00 电解电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件；其制造方法〔2〕 H01G9/004 零部件〔6〕 H01G9/04 电极〔6〕 H01G9/042 以材料为特征的（H01G 11/22优先）〔6〕	IPC分类号	H;0;1;G;9;/;0;4;2;;;H;0;1;G;9;/;2;0查看分类表>
申请人	北京信息科技大学	申请人地址	北京市朝阳区北四环中路35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京信息科技大学	当前权利人	北京信息科技大学
发明人	邹小平;黄宗波;周洪全
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明涉及一种用于太阳电池的Cu掺杂PbS量子点敏化剂及其制备方法，该方法是将Cu杂质原子掺杂到PbS半导体量子点中作为敏化剂组装成量子点敏化太阳能电池。Cu掺杂后PbS半导体的吸收光能力增强，电池内部电子空穴的传输路径得到明显的优化，使得电子空穴可以更加快速的分离；从而使得电子可以更有效的注入到宽禁带氧化物半导体的导带中，抑制了暗电流的产生，提高了太阳能电池的短路电流和光电转换效率。此方法简单，易于操作，成本低，可大面积制作。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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