有透明导电镍酸锂底电极的外延铌酸锶钡薄膜及制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200710156478.3
IPC分类号：G02F1/035;G02F1/03
申请日期：
2007-11-01
申请人：
浙江大学

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著录项信息

专利名称	有透明导电镍酸锂底电极的外延铌酸锶钡薄膜及制备方法
申请号	CN200710156478.3	申请日期	2007-11-01
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-04-30	公开/公告号	CN101169524
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G02F1/035 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G02 光学 G02F 用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器〔2，4〕 G02F1/00 控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学〔2，4〕 G02F1/01 对强度、相位、偏振或颜色的控制（G02F 1/29、G02F 1/35优先）〔2，7〕 G02F1/03 基于陶瓷或电—光晶体的，例如，显示泡克耳斯（Pockels）或科尔（Kerr）效应的（G02F 1/061优先）〔2，4，7〕 G02F1/035 在光波导结构中的〔5〕	IPC分类号	G;0;2;F;1;/;0;3;5;;;G;0;2;F;1;/;0;3查看分类表>
申请人	浙江大学	申请人地址	浙江省杭州市西湖区浙大路38号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	浙江大学	当前权利人	浙江大学
发明人	杜丕一;李晓婷;麦炽良;黄健洪;翁文剑;韩高荣;赵高凌;沈鸽;徐刚;张溪文
代理机构	杭州求是专利事务所有限公司	代理人	林怀禹

摘要

本发明公开了一种具有透明导电镍酸锂底电极的外延铌酸锶钡薄膜及制备方法。在MgO基板一面外延沉积LNO镍酸锂透明导电层LNO薄膜，再在LNO薄膜上外延制备SBN薄膜。其制备步骤如下：首先以碳酸锂，氧化镍，氧化铌，碳酸锶，碳酸钡为原料，用固相烧结法分别制备镍酸锂靶材和铌酸锶钡靶材；其次将(001)MgO基板清洗后放入反应室，反应室抽真空，并加热基板，以氧气为保护气体，引入反应室中，脉冲激光溅射靶材，在基板上先后外延沉积镍酸锂导电电极和铌酸锶钡薄膜。本发明制备方法简单，制得的铌酸锶钡薄膜为(001)方向外延生长，薄膜外延性好，质量高，电光系数大(r33可达180～230pm/V)，具有良好的应用前景。

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