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多层结构的激光刻图

发明专利有效专利

申请号：
CN201480022179.9
IPC分类号：H01L21/268;H01L21/428;H01L31/18;B82Y40/00
申请日期：
2014-02-21
申请人：
恩耐激光技术有限公司

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	多层结构的激光刻图
申请号	CN201480022179.9	申请日期	2014-02-21
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-12-09	公开/公告号	CN105144346A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/268 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/26 用波或粒子辐射轰击的〔2〕 H01L21/263 带有高能辐射的（H01L 21/261优先）〔2，6〕 H01L21/268 应用电磁辐射的，例如激光辐射〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;6;8;;;H;0;1;L;2;1;/;4;2;8;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	恩耐激光技术有限公司	申请人地址	美国华盛顿变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	恩耐公司	当前权利人	恩耐公司
发明人	A·迪特利;R·J·马丁森
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	周家新;蔡洪贵

摘要

公开了一种对多层结构非烧蚀地激光刻图的方法，所述多层结构包括：基底、设置在所述基底上的第一层、设置在所述第一层上的第二层以及设置在所述第二层上的第三层，该方法包括：生成至少一个激光脉冲，其具有被选择用于非烧蚀地改变第三层的选定部分的导电性而使得选定部分变为非导电的激光参数；以及引导所述脉冲到所述多层结构；其中，所述第一层的导电性基本上不被所述脉冲改变。

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