台面工艺功率晶体管芯片结构

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201120270384.0
IPC分类号：H01L27/082
申请日期：
2011-07-28
申请人：
江苏捷捷微电子股份有限公司

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著录项信息

专利名称	台面工艺功率晶体管芯片结构
申请号	CN201120270384.0	申请日期	2011-07-28
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/082 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/08 只包括有一种半导体组件的〔2〕 H01L27/082 只包含双极型的组件〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;0;8;2查看分类表>
申请人	江苏捷捷微电子股份有限公司	申请人地址	江苏省南通市苏通科技产业园区井冈山路6号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	捷捷半导体有限公司	当前权利人	捷捷半导体有限公司
发明人	王成森;黎重林;周榕榕;沈怡东
代理机构	南京正联知识产权代理有限公司	代理人	卢海洋

摘要

本实用新型涉及台面工艺功率晶体管芯片结构，包括N+发射区、发射极铝电极、基极铝电极、SiO2保护膜、玻璃钝化膜、N+衬底扩散层、P型基区扩散层和硅单晶片，所述硅单晶片正面设有P型基区扩散层，所述硅单晶片背面设有N+衬底扩散层，所述P型基区扩散层表面设有SiO2保护膜、基极铝电极、N+发射区和发射极铝电极，所述硅单晶片和P型基区扩散层上设有正面沟槽，所述正面沟槽底部和侧壁设有玻璃钝化膜，其特征在于：所述N+衬底扩散层背面周围设有背面应力平衡槽，所述背面应力平衡槽顶部和侧壁设有玻璃膜，所述N+衬底扩散层和玻璃膜表面上设有多层金属电极。本实用新型的优点是：结构简单、制造的芯片击穿电压特性好、合格率较高、且产品可靠性较高。

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