一种Li－Si－Ni－0基高介电常数陶瓷材料及其合成方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200410034110.6
IPC分类号：--
申请日期：
2004-04-23
申请人：
清华大学

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专利名称	一种Li－Si－Ni－0基高介电常数陶瓷材料及其合成方法
申请号	CN200410034110.6	申请日期	2004-04-23
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2005-01-26	公开/公告号	CN1569731
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	清华大学	申请人地址	北京市－82信箱变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学	当前权利人	清华大学
发明人	林元华;蒋磊;王建飞;南策文
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明涉及一种新型Li－Si－Ni－O基高介电常数陶瓷材料及其合成方法，属于氧化物陶瓷材料制备技术领域。其特征在于所述材料原料采用Ni、Li的硫酸盐、硝酸盐或氯化物盐类，以碳酸铵或碳酸氢铵作为沉淀剂，通过化学沉淀法或溶胶—凝胶法合成均匀掺杂的纳米前驱体粉体，经造粒、成型、烧结，获得锂、硅共掺杂的氧化镍陶瓷。由于本发明通过改变不同掺杂元素及相对掺杂含量，可以调控该材料体系的介电性能，如介电常数、介电损耗以及温度稳定性。采用化学沉淀法或溶胶—凝胶法，可以获得粒径可控、化学成分均匀的活性纳米前驱体粉体，从而可以降低陶瓷烧结温度、缩短反应时间，降低能耗，改善产品性能。

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