一种具有掺杂控制层的电阻存储器

发明专利无效专利

申请号：
CN200810039607.5
IPC分类号：--
申请日期：
2008-06-26
申请人：
复旦大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种具有掺杂控制层的电阻存储器
申请号	CN200810039607.5	申请日期	2008-06-26
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2008-12-03	公开/公告号	CN101315969
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	复旦大学	申请人地址	上海市邯郸路220号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	复旦大学	当前权利人	复旦大学
发明人	林殷茵;尹明;周鹏
代理机构	上海正旦专利代理有限公司	代理人	陆飞;盛志范

摘要

本发明属微电子技术领域，具体涉及一种具有掺杂控制层的电阻存储器。该电阻存储器包括：上电极、下电极、用于实现电阻值的存储转换的电阻存储介质层、用来实现对所述电阻存储介质层的金属元素掺杂及其掺杂含量控制的掺杂控制层。掺杂控制层与电阻存储介质层直接，上电极或者下电极中的金属元素透过掺杂控制层向存储介质层表面扩散，以实现对电阻存储介质层的可控低掺杂，从而达到稳定电阻存储器的电学性能的目的。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供