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一种混合三维晶体管及其形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310169612.9
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/423
  • 申请日期:
    2013-05-09
  • 申请人:
    清华大学
著录项信息
专利名称一种混合三维晶体管及其形成方法
申请号CN201310169612.9申请日期2013-05-09
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-09-18公开/公告号CN103311302A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;2;3查看分类表>
申请人清华大学申请人地址
北京市海淀区82信箱 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人清华大学当前权利人清华大学
发明人梁仁荣;王敬;许军
代理机构北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)代理人张大威
摘要
本发明提出一种混合三维晶体管及其形成方法,该晶体管包括:衬底;绝缘层;形成在绝缘层之上的平面半导体结构;形成在平面半导体结构之上的半导体FIN,其中,半导体FIN的高度大于平面半导体结构的高度,半导体FIN的宽度小于平面半导体结构的宽度,半导体FIN的长度小于平面半导体结构的长度;两个斜坡台面,两个斜坡台面分别位于半导体FIN的两侧,斜坡台面的底部与平面半导体结构相连;栅介质,其包覆平面半导体结构的上表面和侧面以及半导体FIN的各个侧面;栅电极,其位于栅介质上方并且包覆平面半导体结构和半导体FIN;以及源漏区接触,其位于两个斜坡台面的上方。本发明的晶体管解决了FINFET器件驱动电流不能连续变化的难题,并且制备方法简单可行。

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