NORFLASH的形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110209856.X
IPC分类号：H01L27/11524;H01L27/11536;H01L27/11548
申请日期：
2021-02-24
申请人：
上海华力微电子有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	NORFLASH的形成方法
申请号	CN202110209856.X	申请日期	2021-02-24
法律状态	实质审查	申报国家	暂无
公开/公告日	2021-06-25	公开/公告号	CN113035879A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/11524 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/02 包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的〔2〕 H01L27/04 其衬底为半导体的〔2〕 H01L27/10 在重复结构中包括有多个独立组件的〔2〕 H01L27/105 包含场效应组件的〔5〕 H01L27/112 只读存储器结构的〔5〕 H01L27/115 电动编程只读存储器；其多步骤制造方法〔5，2006.01，2017.01〕 H01L27/11517 具有浮栅的〔2017.01〕　 H01L27/11521 以存储器核心区为特征的（三维布置H01L 27/11551）〔2017.01〕　 H01L27/11524 具有单元选择晶体管的，例如，NAND〔2017.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;2;4;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;3;6;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;4;8查看分类表>
申请人	上海华力微电子有限公司	申请人地址	上海市浦东新区良腾路6号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华力微电子有限公司	当前权利人	上海华力微电子有限公司
发明人	田志;杨振兴;邵华;陈昊瑜
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	曹廷廷

摘要

本发明提供了一种NOR FLASH的形成方法，包括：提供衬底，在所述衬底内形成有相邻的有源区和隔离区，所述隔离区的表面高于所述有源区的表面；在所述有源区上依次形成浮栅和第一控制栅；在所述隔离区上形成第二控制栅，所述第一控制栅和所述第二控制栅之间具有空隙，并且，所述第一控制栅和所述第二控制栅在同一高度上；在所述第一控制栅和所述第二控制栅之间的空隙中填充氧化物，以形成层间介质层，所述层间介质层的表面平整。通过控制隔离区的表面高于有源区，使得第一控制栅(有源区控制栅)和第二控制栅(隔离区控制栅)之间的层间介质层填充完好，不会出现空洞的情况，从而减少后续擦除出现问题的几率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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