加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

栅极的制作方法及存储器件的制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410415615.0
  • IPC分类号:H01L21/28
  • 申请日期:
    2014-08-21
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称栅极的制作方法及存储器件的制作方法
申请号CN201410415615.0申请日期2014-08-21
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-02-24公开/公告号CN105355547A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/28IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人王新鹏;宁先捷
代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司代理人吴贵明;张永明
摘要
本申请公开了一种栅极的制作方法及存储器件的制作方法。栅极的制作方法包括:将衬底分为第一区域和第二区域;在第一区域上形成第一栅极,在第二区域上形成上表面高于第一栅极上表面的第二栅极预备层;在衬底上形成连续覆盖第一栅极、第一区域裸露表面、以及第二栅极预备层的预保护层;处理预保护层,并形成上表面齐平的保护层;在保护层上形成掩膜;沿掩膜顺序刻蚀保护层和第二栅极预备层,形成第二栅极;去除掩膜以及剩余的保护层,形成包括第一栅极和第二栅极的栅极。上述栅极的制作方法通过形成满足厚度要求的掩膜,减少了刻蚀过程对栅极造成的损伤。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供