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用于制造半导体封装件的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110046610.5
  • IPC分类号:H01L21/56;H01L23/498
  • 申请日期:
    2021-01-14
  • 申请人:
    三星电子株式会社
著录项信息
专利名称用于制造半导体封装件的方法
申请号CN202110046610.5申请日期2021-01-14
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2021-08-17公开/公告号CN113270329A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/56IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;5;6;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;8查看分类表>
申请人三星电子株式会社申请人地址
韩国京畿道水原市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三星电子株式会社当前权利人三星电子株式会社
发明人朴正镐;朴镇右;李锡贤;张在权;全光宰
代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司代理人尹淑梅;刘灿强
摘要
公开了一种用于制造半导体封装件的方法,所述方法包括:在第一载体基底上形成剥离层,其中,剥离层包括第一部分和第二部分,其中,第一部分具有第一厚度,并且第二部分具有比第一厚度厚的第二厚度;在剥离层上形成阻挡层;在阻挡层上形成重新分布层,其中,重新分布层包括布线和绝缘层;将半导体芯片安装在重新分布层上;在重新分布层上形成模制层以至少部分地围绕半导体芯片;将第二载体基底附着到模制层上;去除第一载体基底和剥离层;去除阻挡层;以及将焊球附着到通过去除阻挡层与剥离层的第二部分而暴露的重新分布层上。

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