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异质外延金刚石及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201710062928.6
IPC分类号：C30B29/04;C30B25/18
申请日期：
2017-01-23
申请人：
中国科学院半导体研究所

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	异质外延金刚石及其制备方法
申请号	CN201710062928.6	申请日期	2017-01-23
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2017-06-13	公开/公告号	CN106835274A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/04 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/02 元素〔3〕 C30B29/04 金刚石〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;0;4;;;C;3;0;B;2;5;/;1;8查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	郁万成;金鹏;张烨;王占国
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	曹玲柱

摘要

本发明提供了一种异质外延金刚石及其制备方法。该异质外延金刚石包括：异质衬底；石墨烯柔性层，制备于异质衬底上；金刚石层，外延生长于石墨烯柔性层上；其中，石墨烯柔性层作为异质衬底上生长金刚石的柔性中间层。本发明利用石墨烯作为外延金刚石的模板和过渡缓冲层，消除了由于异质衬底与金刚石间晶格失配造成的外延金刚石质量降低。

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