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一种锡掺杂的二硫化钴负载MXene材料及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010676312.X
  • IPC分类号:H01M4/36;H01M4/58;H01M4/62;H01M10/0525
  • 申请日期:
    2020-07-14
  • 申请人:
    广东工业大学;东莞华南设计创新院
著录项信息
专利名称一种锡掺杂的二硫化钴负载MXene材料及其制备方法
申请号CN202010676312.X申请日期2020-07-14
法律状态实质审查申报国家暂无
公开/公告日2020-11-27公开/公告号CN112002880A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01M4/36IPC分类号H;0;1;M;4;/;3;6;;;H;0;1;M;4;/;5;8;;;H;0;1;M;4;/;6;2;;;H;0;1;M;1;0;/;0;5;2;5查看分类表>
申请人广东工业大学;东莞华南设计创新院申请人地址
广东省广州市东风东路729号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人广东工业大学,东莞华南设计创新院当前权利人广东工业大学,东莞华南设计创新院
发明人廖松义;闵永刚;李越珠;黄兴文
代理机构深圳科湾知识产权代理事务所(普通合伙)代理人钟斌
摘要
本发明实施例提供了一种锡掺杂的二硫化钴负载MXene材料的制备方法,包括以下步骤:将锡盐加入可溶性钴盐水溶液和硫化剂水溶液中,搅拌均匀;加入单层MXene水溶液,搅拌和超声处理后得到混合溶液;将所得混合溶液在110~360℃下水热反应后,随炉冷却,抽滤后得到固体;将所得固体进行冷冻干燥制得锡掺杂的二硫化钴负载MXene材料。本发明实施例提供的锡掺杂的二硫化钴负载MXene材料不仅能有效提高电池的倍率性能和循环性能,而且还能有效抑制电池在充放电过程中的体积膨胀;减弱容量衰减的速率,提高库仑效应。本发明制作方法简单、成本低、产量高,适合工业批量生产。

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