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鳍式场效应晶体管的形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201511025328.X
  • IPC分类号:H01L21/336
  • 申请日期:
    2015-12-30
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
著录项信息
专利名称鳍式场效应晶体管的形成方法
申请号CN201511025328.X申请日期2015-12-30
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2017-07-07公开/公告号CN106935505A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人谢欣云
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人吴敏
摘要
一种鳍式场效应晶体管的形成方法,包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底上形成若干分立的硬掩膜层,所述硬掩膜层的位置与后续形成的鳍部的位置对应;以所述硬掩膜层为掩膜,进行防穿通离子注入,在所述半导体衬底内形成掺杂区;对所述掺杂区进行退火,掺杂区中的杂质离子向硬掩膜层正下方的半导体衬底中扩散,形成防穿通区;进行退火后,以所述硬掩膜层为掩膜,刻蚀所述半导体衬底和掺杂区,形成凹槽,相邻凹槽之间的半导体衬底构成鳍部。本发明的方法,在形成防穿通区时,防止离子注入对鳍部表面的注入损伤。

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