加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

化学气相沉积法制备双层氧化锌纳米线阵列的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201210440127.6
  • IPC分类号:C01G9/03;C04B41/50;B82Y30/00
  • 申请日期:
    2012-11-07
  • 申请人:
    上海大学
著录项信息
专利名称化学气相沉积法制备双层氧化锌纳米线阵列的方法
申请号CN201210440127.6申请日期2012-11-07
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2013-04-24公开/公告号CN103058264A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01G9/03IPC分类号C;0;1;G;9;/;0;3;;;C;0;4;B;4;1;/;5;0;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0查看分类表>
申请人上海大学申请人地址
上海市宝山区上大路99号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海大学当前权利人上海大学
发明人李珍,李翠,林栋,康维君,潘登余,吴明红
代理机构上海上大专利事务所(普通合伙)代理人陆聪明
摘要
本发明涉及一种双层氧化锌纳米线阵列的制备方法。该方法以涂有氧化锌晶种层的硅片为衬底,采用化学气相沉积法诱导ZnO纳米线阵列的生长。在一次生长的ZnO纳米线的顶端再次旋涂一层ZnO纳米晶种层,进行ZnO纳米线阵列的气相二次生长,制备得到了双层超长ZnO纳米线阵列。本方法制备过程简单,所制备的双层ZnO纳米线阵列的长径比得到了明显提高,开启电场小,场发射性能得到了明显提升。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供