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硅电容智能压力/差压变送器及其测量方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810228477.X
  • IPC分类号:G01L9/12;G01L13/06
  • 申请日期:
    2008-10-31
  • 申请人:
    沈阳仪表科学研究院
著录项信息
专利名称硅电容智能压力/差压变送器及其测量方法
申请号CN200810228477.X申请日期2008-10-31
法律状态权利终止申报国家暂无
公开/公告日2010-06-09公开/公告号CN101726389A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01L9/12IPC分类号G;0;1;L;9;/;1;2;;;G;0;1;L;1;3;/;0;6查看分类表>
申请人沈阳仪表科学研究院申请人地址
辽宁省沈阳市大东区北海街242号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人沈阳仪表科学研究院当前权利人沈阳仪表科学研究院
发明人袁峰;何方;王松亭;呼浩;马超
代理机构沈阳亚泰专利商标代理有限公司代理人郭元艺
摘要
本发明属压力/差压变送器领域,尤其涉及一种硅电容智能压力/差压变送器及其测量方法,包括硅电容压力传感器、时间数字转换电路、单片机、存储器、智能显示单元、D/A转换部分及Hart协议处理电路;所述时间数字转换电路的输入端与所述硅电容压力传感器的输出端相接;所述单片机的信号输入端接时间数字转换电路的信号输出端;所述单片机的信号输出端分别接存储器、智能显示单元、D/A转换部分及Hart协议处理电路的输入端;所述单片机内配有温度传感器,以实时测量硅电容压力传感器的温度;所述单片机与存储器、智能显示单元及时间数字转换电路通过SPI总线进行数据交换。本发明结构简单,成本低廉,测量信号精确,稳定性高。

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