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一种提高双面光刻一致性的方法、系统和存储介质

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810073945.4
  • IPC分类号:G03F7/20;G03F9/00
  • 申请日期:
    2018-01-25
  • 申请人:
    北京控制工程研究所
著录项信息
专利名称一种提高双面光刻一致性的方法、系统和存储介质
申请号CN201810073945.4申请日期2018-01-25
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-07-20公开/公告号CN108303857A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G03F7/20IPC分类号G;0;3;F;7;/;2;0;;;G;0;3;F;9;/;0;0查看分类表>
申请人北京控制工程研究所申请人地址
北京市海淀区北京2729信箱 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京控制工程研究所当前权利人北京控制工程研究所
发明人左建斌;武宏宇;吕志强;赵晓雨;朱春英;佟慧;赵娜;石建民;范汉超;杨思达
代理机构中国航天科技专利中心代理人胡健男
摘要
一种提高双面光刻一致性的方法、系统和存储介质,研制非标的双面曝光机,采用了水平位置调整装置调整和固定工件的位置,减少曝光过程中的移动,引入了接触力的概念,采用接触力可调整的装置,解决了曝光过程中接触力较小的问题,并可使曝光时的接触力可调。本发明降低了双面曝光机使用时工艺重复性误差,改变了单面曝光机单面对准、单面曝光、中途翻转的方式,解决了小尺寸圆柱形光学零件双面光刻一致性较差的问题,使工件上下两面图形的同轴度≤0.03mm,峰峰值不对称度符合产品技术要求。使双面曝光的一致性误差由原来的不小于0.005mm降低到0.003mm以内。可有效提高双面光刻一致性。

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