半导体器件及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610159801.8
IPC分类号：H01L29/786;H01L29/00;H01L27/12;H01L27/32;H01L51/50;H01L21/336;H01L21/84;H01L21/00;H01L51/56
申请日期：
2002-10-30
申请人：
株式会社半导体能源研究所

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著录项信息

专利名称	半导体器件及其制造方法
申请号	CN200610159801.8	申请日期	2002-10-30
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-04-11	公开/公告号	CN1945856
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/786 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半导体器件的类型区分的〔2〕 H01L29/68 只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕 H01L29/76 单极器件〔2〕 H01L29/772 场效应晶体管〔6〕 H01L29/78 由绝缘栅产生场效应的〔2〕 H01L29/786 薄膜晶体管〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;7;8;6;;;H;0;1;L;2;9;/;0;0;;;H;0;1;L;2;7;/;1;2;;;H;0;1;L;2;7;/;3;2;;;H;0;1;L;5;1;/;5;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;8;4;;;H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;H;0;1;L;5;1;/;5;6查看分类表>
申请人	株式会社半导体能源研究所	申请人地址	日本神奈川县厚木市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社半导体能源研究所	当前权利人	株式会社半导体能源研究所
发明人	丸山纯矢;高山彻;后藤裕吾
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	陈景峻

摘要

本发明提供一种总体上既轻且薄并且具有柔性(可弯曲)的半导体器件，它具有半导体元件(薄膜晶体管、薄膜二极管、硅PIN结的光电转换元件或硅电阻元件)，以及制造所述半导体器件的方法。在本发明中，并非在塑料膜上形成元件。相反，诸如衬底的平板被用作模板，利用作为第二粘合构件(16)的凝结剂(一般为粘合剂)填充衬底(第三衬底(17))和包括元件的层(剥离层(13))之间的间隙，并且在粘合剂凝结后剥去用作模板的衬底，从而单独用凝结的粘合剂(第二粘合构件(16))固定包括元件的层(剥离层(13))。以这种方式，本发明使膜变薄并且重量减轻。

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