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一种制造改善寄生漏电流的STI结构的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810171565.0
  • IPC分类号:H01L21/762
  • 申请日期:
    2008-10-21
  • 申请人:
    和舰科技(苏州)有限公司
著录项信息
专利名称一种制造改善寄生漏电流的STI结构的方法
申请号CN200810171565.0申请日期2008-10-21
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2010-06-09公开/公告号CN101728306A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/762IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;2查看分类表>
申请人和舰科技(苏州)有限公司申请人地址
江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人和舰科技(苏州)有限公司当前权利人和舰科技(苏州)有限公司
发明人蔡政泽;刘波;黄利华
代理机构北京连和连知识产权代理有限公司代理人张春媛
摘要
本发明涉及一种制造改善寄生漏电流的STI结构的方法,该方法包含如下步骤:提供一个具有浅沟渠绝缘结构的基底,该基底上表面涂覆有SiN罩幕层;在该基底的上部及浅沟渠绝缘结构中沉积氧化物;对上述氧化物进行第一次研磨;在研磨至SiN罩幕层后停止研磨,然后再沉积一层SiN罩幕层;对上述SiN罩幕层进行第二次研磨;采用湿式蚀刻去除SiN罩幕层。采用本发明所述的一种制造改善寄生漏电流的STI结构的方法可以有效改善STI“断皮”现象,减少因磷酸侵蚀造成的微小凹陷,制作的STI平坦度较好,进而改善器件漏电现象。

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