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一种铋碲系纳米多孔热电材料的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200910092656.X
  • IPC分类号:H01L35/34;B22F3/11
  • 申请日期:
    2009-09-16
  • 申请人:
    北京科技大学
著录项信息
专利名称一种铋碲系纳米多孔热电材料的制备方法
申请号CN200910092656.X申请日期2009-09-16
法律状态权利终止申报国家暂无
公开/公告日2010-02-24公开/公告号CN101656292
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L35/34IPC分类号H;0;1;L;3;5;/;3;4;;;B;2;2;F;3;/;1;1查看分类表>
申请人北京科技大学申请人地址
北京市海淀区学院路30号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京科技大学当前权利人北京科技大学
发明人徐桂英;张艳华;韩菲
代理机构暂无代理人暂无
摘要
一种铋碲系纳米多孔热电半导体材料的制备方法,属于热电材料技术领域。本发明将铋碲基纳米粉末Bi2-xSbxTe3-ySey(x=0-1.9,y=0-0.5)置于充分溶解有造孔剂的酒精溶液中,混合过程采用超声波和磁悬搅拌相结合的方法,干燥后通过放电等离子体烧结技术将粉末烧结成块体材料,期间利用造孔剂在一定温度下会升华挥发,从而在烧结过程中在块体材料中留下纳米大小的孔洞结构,形成纳米多孔材料。该铋碲基合金系属于菱形晶系结构。本发明的优点在于,制备方法简单、易操作、成本较低、成分控制准确、纳米孔尺寸大小和分布较均匀等。

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