半导体结构及其形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710776697.5
IPC分类号：H01L21/768;H01L23/48;H01L29/78;H01L21/336
申请日期：
2017-08-31
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路新技术研发（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体结构及其形成方法
申请号	CN201710776697.5	申请日期	2017-08-31
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-03-05	公开/公告号	CN109427653A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/768 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/70 由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K 3/00，H05K 13/00）〔2〕 H01L21/71 限定在组H01L 21/70中的器件的特殊部件的制造（H01L 21/28，H01L 21/44，H01L 21/48优先）〔6〕 H01L21/768 利用互连在器件中的分离元件间传输电流〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;7;6;8;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路新技术研发（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路新技术研发（上海）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路新技术研发（上海）有限公司
发明人	周飞
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	吴敏

摘要

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的栅极结构以及位于所述栅极结构上的帽层；去除所述帽层，以形成位于所述栅极结构上的凹槽；在所述凹槽内形成替代层，所述替代层材料的介电常数小于所述帽层材料的介电常数。通过材料介电常数更小的替代层代替所述帽层，从而达到减小栅极结构周围材料的平均介电常数的目的，以控制所述栅极结构相关的寄生电容，改善所形成半导体结构的性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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