一种接地屏蔽结构和半导体器件

发明专利有效专利

申请号：
CN201810229794.7
IPC分类号：H01L23/522;H01L23/528
申请日期：
2018-03-20
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

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专利名称	一种接地屏蔽结构和半导体器件
申请号	CN201810229794.7	申请日期	2018-03-20
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2019-10-08	公开/公告号	CN110310941A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/522 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/52 用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置〔2〕 H01L23/522 包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;2;2;;;H;0;1;L;2;3;/;5;2;8查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
发明人	高金凤;王西宁;程仁豪
代理机构	北京市磐华律师事务所	代理人	暂无

摘要

本发明提供一种接地屏蔽结构和半导体器件，所述接地屏蔽结构包括半导体衬底；位于所述半导体衬底表面的接地环，所述接地环包括对称且绝缘设置的第一部分和第二部分；位于所述半导体衬底表面被所述接地环包围的线形排布的导电部件，所述导电部件包括对称且绝缘设置的第一导电部件和第二导电部件，所述第一导电部件的第一端与所述接地环的第一部分连接，所述第二导电部件的第一端与所述接地环的第二部分连接，所述第一导电部件的第二端与所述第二导电部件的第二端连接至接地线。根据本发明的接地屏蔽结构和半导体器件，显著提高半了导体器件在60GHz以上频率范围内使用时的高频性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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