一种直接液冷芯片强化传热表面的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010217353.9
IPC分类号：H01L21/02;H01L23/373
申请日期：
2010-06-23
申请人：
中国科学院力学研究所

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著录项信息

专利名称	一种直接液冷芯片强化传热表面的制备方法
申请号	CN201010217353.9	申请日期	2010-06-23
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2010-12-15	公开/公告号	CN101916717A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;3;/;3;7;3查看分类表>
申请人	中国科学院力学研究所	申请人地址	北京市海淀区北四环西路15号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院力学研究所	当前权利人	中国科学院力学研究所
发明人	王育人;曹鹤
代理机构	北京中创阳光知识产权代理有限责任公司	代理人	尹振启;马知非

摘要

本发明公开了一种直接液冷芯片的强化沸腾传热表面的制备。本发明采用了制备光子晶体的方法：LB膜法、自组装法或旋涂法；将胶体微球组成规则排列的单层或多层胶体晶体薄膜。然后再以这种薄膜为模板，利用溶胶-凝胶法填充模板，最后利用煅烧或溶解的方法去除模板在基片表面制备出二维或三维强化沸腾传热表面。这种强化沸腾传热表面在管道式的自然循环冷却系统中具有良好沸腾传热性能，且制备方法简单、造价低廉。

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