抗饱和限幅器、芯片及驱动放大器

发明专利有效专利

申请号：
CN202010123495.2
IPC分类号：H03F1/02
申请日期：
2020-02-27
申请人：
中国电子科技集团公司第十三研究所

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著录项信息

专利名称	抗饱和限幅器、芯片及驱动放大器
申请号	CN202010123495.2	申请日期	2020-02-27
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-06-09	公开/公告号	CN111262529A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03F1/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03F 放大器（测量、试验入G01R；光参量放大器入G02F；具有二次发射管的电路装置入H01J 43/30；微波激射器，激光器入H01S；电动放大器入H02K；放大的控制入H03G；与放大器特性无关的耦合装置，分压器入H03H；只能处理脉冲的放大器入H03K；传输线路中的中继器电路入H04B 3/36、H04B 3/58；电话通信中音频放大器的应用入H04M 1/60，H04M 3/40） H03F1/00 只用电子管，只用半导体器件或只用未特别指明的器件作为放大元件的放大器的零部件 H03F1/02 为提高效率对放大器的改进，例如滑动甲类放大级，采用辅助振荡	IPC分类号	H;0;3;F;1;/;0;2查看分类表>
申请人	中国电子科技集团公司第十三研究所	申请人地址	河北省石家庄市合作路113号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国电子科技集团公司第十三研究所	当前权利人	中国电子科技集团公司第十三研究所
发明人	邓世雄;陈书宾;罗建;要志宏;刘晓红;杨鹏;王乔楠;吴波;苏彦文;武康;史磊;贾晓亮;李省;王平
代理机构	石家庄国为知识产权事务所	代理人	暂无

摘要

本发明适用于无线电系统技术领域，提供了一种抗饱和限幅器、芯片及驱动放大器，该方法包括多级限幅电路的第一端依次连接在输入端和输出端之间，每级限幅电路的第二端的第一端口接地，第一级限幅电路的第二端的第二端口串联一个功率负载后接地，最后一级限幅电路的第二端的第二端口串联一个功率负载后接地，中间级限幅电路的第二端的第二端口接地，中间级限幅电路为除第一级限幅电路和最后一级限幅电路之外的限幅电路，从而实现单片吸收式抗饱和限幅器，与现有的GaAs单片限幅器相比，线性度提高20dBc；采用该抗饱和限幅器，可以有效改善驱动放大器的过饱和问题，且耐功率及集成度高、装配简单、可靠性高。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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