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浅沟槽隔离结构的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201910297202.X
  • IPC分类号:H01L21/762;H01L27/11524;H01L27/1157
  • 申请日期:
    2019-04-15
  • 申请人:
    上海华力集成电路制造有限公司
著录项信息
专利名称浅沟槽隔离结构的制造方法
申请号CN201910297202.X申请日期2019-04-15
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2019-09-06公开/公告号CN110211916A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/762IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;2;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;2;4;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5;7查看分类表>
申请人上海华力集成电路制造有限公司申请人地址
上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华力集成电路制造有限公司当前权利人上海华力集成电路制造有限公司
发明人郁赛华;孙勤
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人郭四华
摘要
本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的制造方法,包括步骤:步骤一、在半导体衬底上形成浅沟槽;步骤二、涂布聚氮硅烷层;步骤三、进行氧氮置换工艺将聚氮硅烷层转换为二氧化硅层并形成浅沟槽隔离结构;氧氮置换工艺包括两次以上的炉管水汽工艺,两次炉管水汽工艺之间包括一次热退火工艺和一次减薄工艺。本发明能采用PSZ实现对浅沟槽的良好填充,并能提高对PSZ的氧氮置换效果以及提高转换后的二氧化硅的致密性从而能提高二氧化硅的膜质,同时能减少有源区的热过程。

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