高功函数可调的三元过渡金属氮化物、其制备方法及应用

发明专利有效专利

申请号：
CN201911219946.6
IPC分类号：H01L51/50;H01L51/00;C01G39/00;C01G41/00
申请日期：
2019-12-03
申请人：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	高功函数可调的三元过渡金属氮化物、其制备方法及应用
申请号	CN201911219946.6	申请日期	2019-12-03
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-04	公开/公告号	CN112909189A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;0;;;H;0;1;L;5;1;/;0;0;;;C;0;1;G;3;9;/;0;0;;;C;0;1;G;4;1;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	申请人地址	江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	当前权利人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
发明人	蒋春萍;李玉雄;刘峰峰;林雨;赵永旻;隋展鹏
代理机构	南京利丰知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	王锋

摘要

本发明公开了一种高功函数可调的三元过渡金属氮化物、其制备方法及应用。所述三元过渡金属氮化物为MoxM1‑xN，其中M包括Ti、Hf、Zr、W中的任意一种，0.7≤x≤1。本发明的三元过渡金属氮化物功函数可控，利用其制成的膜具有高功函数、高反射率以及高导电性等优点，可应用于制备顶发射型OLED器件、Si/PEDOT:PSS杂化太阳能电池、高功函数p型有机半导体或无机半导体等领域。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供